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Der MOSFET: Atalla und Kahng machen Siliziumdioxid zum Gate moderner Elektronik
1959 machten Mohamed Atalla und Dawon Kahng bei Bell Labs aus jahrzehntealten Feldeffekt-Ideen einen funktionierenden Transistor mit isoliertem Gate, indem sie die Silizium–Siliziumdioxid-Grenzfläche beherrschten. Der langsame erste MOSFET wurde zur Basis skalierbarer MOS- und CMOS-Schaltungen.
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