O MOSFET: Atalla e Kahng transformam o dióxido de silício na porta da eletrônica moderna
Em 1959, Mohamed Atalla e Dawon Kahng nos Bell Labs tornaram funcional um transistor de efeito de campo com gate isolado ao controlar a interface silício–dióxido de silício. Lento no início, o MOSFET abriu o caminho para circuitos MOS e CMOS de alta integração.