更正 — 2026年10月14日。 本次修订更正时间顺序和贡献归属，更换与论断关联不足的参考资料，并删除缺乏依据的故障率计算，以及把历史尺寸与现代工艺节点名称直接比较的误导性表述。
从独立元件到电路
晶体管控制电流，电阻器与电容器承担其他功能。将它们组合起来，便形成有用的电子系统。难点在于可靠地制造元件及其连接。
1958年9月12日，得克萨斯仪器公司的杰克·基尔比演示了由锗半导体元件与细金线连接组成的振荡器。这表明半导体电路存在可行的实现路径，但悬空引线并不是适合规模制造的互连工艺。他的专利US3138743描述了半导体材料中的有源与无源元件。专利说明设计与权利要求，本身不等于对制造良率的测量。
演示与专利申请的时间标记
| 里程碑 | 贡献 |
|---|---|
| 1958 — 基尔比 | 演示可工作的半导体电路 |
| 1959 — 赫尔尼 | 保留覆盖结边缘保护氧化层的平面工艺；US3025589于1959年5月1日申请 |
| 1959 — 诺伊斯 | 在绝缘氧化层上形成金属连接；US2981877于1959年7月30日申请 |
| 1960 — 仙童各团队 | 实现可工作的单片电路并开发元件隔离 |
赫尔尼后来的工艺不能成为基尔比先前实验的前提。诺伊斯以平面工艺为基础解决互连问题。几项贡献解决的是相互关联的问题，并非一人完成的一项发明。
氧化层为何重要
掺杂改变选定半导体区域的电学性质。p–n结连接以空穴为多数载流子的p型区域与以电子为多数载流子的n型区域。赫尔尼在结与表面相交的边缘保留氧化硅，而不是让这些边缘暴露在外。
诺伊斯利用氧化层为金属导线提供绝缘。局部开口使金属能接触半导体区域，同时避免使中间的结短路。表面布线的绝缘并不会自动隔离硅内部的元件；内部隔离还需要额外工程。
工艺包括图案定义、扩散、接触开口和金属化。从同一面加工，不等于一次光刻就完成全部步骤。封面说明金属位于绝缘体之上的概念，既不是历史器件的复原，也不是可运行的电路图。
方法、证据与局限
本次核查将所引专利的说明和权利要求与Computer History Museum的年表相对照。博物馆区分仙童电路早期的物理隔离与后来的结隔离。本文不报告半导体实验、制造试验或可靠性的独立复现实验。保存的资料支持时间顺序和机制，但没有提供针对每个早期电路、使用共同测量标准得到的数值可靠性增益。现代工艺节点名称不能直接与历史尺寸相比，本文不作这种比较。集成技术通过后来在材料、隔离、制造和设计方面的工作，使更复杂的电子系统成为可能。
AI协助完成这次科学更正及其翻译；自动检查不等于人工评审。生成封面是概念插图。先前版本保留在编辑历史中。