Un tampon d'oxyde de 0,42 nm contourne l'arbitrage entre contrôle de grille et transport des porteurs dans les transistors MoS₂ | HarmonyFidelis

Une équipe taïwanaise menée par NYCU et TSMC transforme l'interface entre un semiconducteur monocouche et son diélectrique de grille en une pièce fonctionnelle du transistor, contournant l'arbitrage historique entre finesse du diélectrique et transport des porteurs.