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El MOSFET: Atalla y Kahng convierten el dióxido de silicio en la puerta de la electrónica moderna
En 1959, Mohamed Atalla y Dawon Kahng en Bell Labs convierten décadas de ideas de efecto de campo en un transistor de puerta aislada funcional al controlar la interfaz silicio–dióxido de silicio. El dispositivo era lento, pero abrió la trayectoria MOS y CMOS de alta integración.
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